晶圓烘干箱烘干工藝的作用

　　為獲得平坦而均勻的光刻膠涂層并使光刻膠與晶片之間有良好的黏附性，通常在涂膠前對晶片進行預處理。預處理一步常是脫水烘烤，在真空或干燥氮氣的機臺中，以150～200℃烘烤。工藝目的是除去晶片表面吸附的水分，在此溫度下，晶片表面大約保留了一個單分子層的水。

　　涂膠后，晶片須經過一次烘烤，稱之軟烘或前烘。工藝作用是除去膠中大部分溶劑并使膠的曝光特性固定。通常，軟烘時間越短或溫度越低會使得膠在顯影劑中的溶解速率增加且感光度更高，但對比度會有降低。實際上軟烘工藝需要通過優化對比度而保持可接受感光度的試湊法用實驗確定，典型的軟烘溫度是90～100℃，時間從用熱板的30秒到用烘箱的30分鐘。

　　在晶片顯影后，為了后面的高能工藝，如離子注入和等離子體刻蝕，也須對晶片進行高溫烘烤，稱之后烘或硬烘。這一工藝目的在于：減少駐波效應；激發化學增強光刻膠PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。

　　晶圓烘干箱用于半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃等材料涂膠前的預處理烘烤、涂膠后堅膜烘烤和顯影后的高溫烘烤，強制送風循環方式。雙風道循環結構，溫度場分布均勻，智能P.I.D溫控系統，得到較為合適的溫度控制精度。